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GL SR300 300mm步進式納米壓印光刻/拼版設備是一種步進式紫外納米壓印設備，可以在300mm尺寸基底上加工精度優于20納米的三維結構，還可以用于將小面積納米壓印模具通過步進式壓印拼接成大面積壓印母模具。

GL4 R D研發型納米壓印光刻設備是一種專門為大學、科研院所和企業產品研發所設計，功能強大的多功能研發型納米壓印光刻設備。通過簡單的夾具更換，可以實現旋涂壓印膠高精度納米結構壓印和點膠大矢高結構自動找平壓印模式之間的快速切換。

GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設備是一種專門為晶圓級光學加工（WLO-Wafer Level Optics）開發的全幅紫外納米壓印設備，可在200mm基底面積上平行復制生產聚合物光學器件。

GL8 CLIV Gen2高精度紫外納米壓印光刻設備是天仁微納新型全幅高精度紫外納米壓印設備，標配天仁微納CLIV（Contact Litho in Vacuum）壓印技術，可實現200mm基底面積上高精度（優于10nm ）、高深寬比（優于10比1 ）納米結構復制量產。

GL300 Cluster全自動納米壓印光刻生產線是模塊化的全自動納米壓印生產線，集成了從納米壓印基底清洗、涂膠、烘烤、冷卻直至納米壓印全套工藝步驟。標配天仁微納CLIV（Contact Litho in Vacuum）壓印技術，可實現200/300mm基底面積上全自動高精度（優于10nm ）、高深寬比（優于10比1 ）納米結構復制量產。

UniPrinter研發型Desktop納米壓印光刻設備是一種專門為大學、科研院所和企業產品研發所設計，操作簡單、功能強大的臺面型納米壓印光刻設備?？蓪崿F4英寸以下基底面積上高精度（優于10nm * ）、高深寬比（優于10比1 * ）納米結構壓印，適合用作紫外納米壓印光刻工藝開發，器件原型快速驗證，納米壓印材料測試等研發。

GL150/300 CLIV紫外納米壓印光刻設備產能可大于40片每小時，適合DOE、AR/VR衍射光波導（包括斜齒光柵）、線光柵偏振、超透鏡、生物芯片、LED、微透鏡陣列等應用領域的量產。

GL300 MLA全自動紫外納米壓印光刻設備適用于DOE、勻光片（Diffuser）、微透鏡陣列、菲涅爾透鏡等產品的研發和量產。